1MHZ以内，以差模干扰为主。
①增大X电容量；
②添加差模电感；
③小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
①对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量；
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②对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
③也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管1N4007。
5M以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
20-30MHZ，
①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；
②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；
③在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
④改变PCB LAYOUT；
⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
⑦在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。
⑨可以用增大MOS驱动电阻.
30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。
①可以用增大MOS驱动电阻；
②RCD缓冲电路采用1N4007 慢管；
③VCC供电电压用1N4007 慢管来解决；
④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
⑥在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容；
⑧PCB心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
⑨变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50-100MHZ，普遍是输出整流管反向恢复电流引起。
①可以在整流管上串磁珠；
②调整输出整流管的吸收电路参数；
③可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
④也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）；
⑤增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
200MHZ以上，开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。
补充说明:
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的，以上未加缀述。开关电源是高频产品，PCB的元器件布局对EMI,请密切注意此点。
开关电源若有机械外壳，外壳的结构对辐射有很大的影响，请密切注意此点。主开关管、主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异，对 EMC 有一定的影响，请密切注意此点。
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