主推ZF7N65封装TO220F650V高压MOSFET场效应管

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公　司：深圳志祥科技有限公司

发布时间：2014年07月31日

有效期：2015年01月30日

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详细说明

MOSFET管工作原理：
衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区。在栅极电压为零时，由于氧化层中正电荷的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道。当在栅极加上正电压是，表面有耗尽层变为反型层，当Vgs=Vt（阈值电压）表面发生强反型，即形成n型沟道，则此时加在栅极上的电压Vt即为MOS管的开启电压。在此时，如果在漏源之间加正电压，电子就能够从源极流向漏极，形成漏极向源极的电流。

MOSFET管应用领域：
Adopter电源适配器 LED驱动 LED电源
Electronics Rectifier电子镇流器
Switch Mode Power Supplier开关电源等各类功率开关电路

MOSFET特点：
Shorter Switch Time开关时间短
Lower RDS(ON)通态电阻小
ESD Improved Capability
RoHS Product符合 RoHS标准

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