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硅单晶的生长方法，有直拉法、区域熔化法、布里奇曼法、枝蔓生长法和气相沉积生长法等。目前半导体材料工业上广泛应用攀，赶区熔法（即FZ法）两种。
(1)直拉单晶硅的生长
19 17年，乔赫拉斯基为了确定金属的结晶生长速度，将奈钦*先用来从熔体中生长邻羟基甲酸苯酯单晶的方法改进并引用到金属方面，后来又经过许多人的不断改进，才呈现今天的面貌，因此，后人为了纪念乔堪萨斯基，就取名为“乔赫拉斯基生长法”，简称“直拉法”用英文字母“CZ”来表示。
叉子母"l。，<） 拉法通过直拉单晶硅炉装置，采用电阻式，将盛放在高纯石英坩埚内的多晶硅原料f块状，高温瘁化，使溶液温度保持在比回收硅片硅熔点稍高一点的状态，把安装在拉晶轴下端的籽晶缓慢插入溶液，待籽晶与溶液完全接触吻合后，降低熔体温度，然后在在籽晶与石英坩埚作相反方向旋转的同时，慢慢地向上提拉籽晶，实现单晶硅的直接拉制的生长过程，所以，简称为直拉法即CZ法d
(2)区熔单晶硅的生长
将事先准备好的棒状多晶硅料，按工艺技术要求装入区熔单晶炉内，同时，在炉内的籽晶夹头里安装籽晶，关好炉门抽真空至一定程度后，适时向炉膛内通人高纯氩气，，移动加妈熬线圈，致多晶硅料局部熔化并形成熔区，使熔区从多晶硅棒的一端移动到另一端，熔早区在“籽晶种子”的引导下，生长成单晶，就叫区熔单晶硅即FZ单晶硅。图0-6为区熔法单晶硅生长示意蓋。（东莞硅片硅料回收企业发布） |
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